WYBRANE PRODUKTY

Układy analogowe i mieszane

 

FXLS8471QR1_NXP-1

 

 
FXLS8471QR1

FXLS8471Q to kompaktowy, 3-osiowy akcelerometr liniowy w obudowie QFN o niskim poborze mocy. Wyposażony jest w funkcję dynamicznego wyboru zakresów przyspieszenia w pełnej skali ±2 g/±4 g/±8 g, przy rozdzielczości 14 bitów. Zakres temperatur pracy układu to -40 do +105 °C.

 

NXP_logo_color-Apr-22-2024-01-44-03-5282-AM

 

POBIERZ SPECYFIKACJĘ PRODUKTU
 
KUP TERAZ

Układy pamięci

 

IS43TR16512BL-125KBLI-TR_ISSI-1

 

 
IS43TR16512BL-125KBLI-TR

IS43TR16512BL-125KBLI to pamięć DDR3L SDRAM pracująca z zasilaniem 1,3 V, skonfigurowana jako 512Mx16 bitów. Układ dostępny jest w 96-wyprowadzeniowej obudowie BGA i obsługuje zakres temperatur dla urządzeń przewidzianych do zastosowań przemysłowych ‒ od -40°C do 95°C.

ISSI_withtag-2

 

POBIERZ SPECYFIKACJĘ PRODUKTU
 
KUP TERAZ

Układy analogowe i mieszane

 

SKY66295-21_Skyworks-1

 

 
SKY66295-21

SKY66295-21 to wysokowydajny wzmacniacz mocy (PA) z pełnym dopasowaniem poziomów I/O, o wysokim wzmocnieniu i liniowości. Został zaprojektowany dla małych stacji bazowych FDD i TDD 2G/3G/4G LTE działających w zakresie częstotliwości od 800 do 900 MHz. Układ wyposażony jest w funkcję kompensacji temperatury, napięcia i zmienności parametrów pracy realizowaną za pomocą zintegrowanego układu odniesienia (biasu).

Skyworks_LOGO-3

 

POBIERZ SPECYFIKACJĘ PRODUKTU
 
KUP TERAZ

Procesory i układy peryferyjne

 

MCIMX516AJM6C_NXP-4

 

 
MCIMX516AJM6C

i.MX51A to procesor oparty na rdzeniu ARM Cortex A8™, taktowany częstotliwością do 600 MHz, z taktowaniem magistrali I/O 200 MHz w standardzie DDR2 lub standardzie pamięci DDR dla urządzeń mobilnych. Urządzenie to doskonale sprawdza się w systemach  renderowania grafiki i wysokowydajnego przetwarzania mowy.

NXP_logo_color-Apr-22-2024-01-44-03-5282-AM

 

POBIERZ SPECYFIKACJĘ PRODUKTU
 
KUP TERAZ

Komponenty dyskretne

 

AUIRG4PH50S_Infineon

 

 
AUIRG4PH50S

AUIRG4PH50S to tranzystor IGBT czwartej generacji zaprojektowany z myślą o wysokiej sprawności, zoptymalizowany pod kątem minimalnego napięcia nasycenia i niskich częstotliwości roboczych (< 1 kHz).  Układ charakteryzuje się napięciem nasycenia Vces na poziomie 1200 V, obsługuje natężenie na kolektorze Ic=141 A przy temperaturze 25°C i jest dostępny w obudowie TO-247AC.

Infineon_logo_color-Mar-01-2024-03-30-37-0065-PM

 

POBIERZ SPECYFIKACJĘ PRODUKTU
 
KUP TERAZ
WYŚWIETL WSZYSTKIE PRODUKTY