Spojrzenie na innowacje i rewolucję zapoczątkowaną przez układy pamięci
Od początku rewolucji związanej z elektroniką, pamięci półprzewodnikowe pełniły w niej kluczową rolę. Pamięci można najogólniej podzielić na dwa rodzaje: pamięci nieulotne, zachowujące dane po odłączeniu zasilania, oraz pamięci ulotne, które nie zachowują danych po odłączeniu zasilania. W pierwszym cyklu Rochester Electronics o pamięciach półprzewodnikowych omówimy początki pamięci nieulotnych.
Pierwszym rozwiązaniem pełniącym funkcję półprzewodnikowej pamięci nieulotnej był układ PROM (programowalna pamięć tylko do odczytu) oraz podobnej konstrukcji pamięć EPROM (wymazywalna pamięć PROM). Pierwotny układ PROM opracowany został w Laboratoriach Bella w 1967 roku i był dalej rozwijany przez firmę Intel od roku 1971.
Przeszukaj asortyment Rochester Electronics pod kątem układów EPROM
Początkowo dostępne były dwa rodzaje pamięci EPROM: wersja jednokrotnie programowalna oraz wersja wymazywalna światłem ultrafioletowym (UV). Wersja wymazywalna światłem ultrafioletowym była szczególnie przydatna, ponieważ pozwalała na modyfikacje w fazie prototypowej i rozwojowej urządzenia.
Pierwsza osiągalna i łatwa w produkcji wersja miała pojemność zaledwie 256 bajtów, niesamowicie mało wg dzisiejszych standardów. Wkrótce, własne układy pamięci wprowadziło na rynek wiele innych znanych firm: AMD, Intel, Fujitsu, Hitachi, Macronix, Atmel i Texas Instruments.
Konkurujący ze sobą producenci wprowadzali pamięci o coraz większej gęstości zapisu, niższym wymaganym napięciu roboczym i w kolejnych dostępnych typach obudów.
Jednym z głównych utrudnień w korzystaniu z układów EPROM była potrzeba posiadania specjalistycznego wyposażenia do wymazywania pamięci światłem ultrafioletowym. Problem ten został rozwiązany poprzez opracowanie pamięci EEPROM (elektronicznie programowalna pamięć EPROM), umożliwiając programowanie szybsze, bardziej niezawodne i bez potrzeby demontowania układu z płyty obwodów. Technologię tę wykorzystała jako pierwsza w 1972 roku firma Solid State Devices i była dalej rozwijana przez wiele innych firm, w tym Hughes Aircraft, Fairchild i Siemens. Dalsze postępy w pracach nad układami pamięci pozwoliły zwiększyć gęstość zapisu, obniżyć wymagane napięcie operacyjne i napięcie zapisu oraz zwiększyć prędkości odczytu. Kolejnym krokiem było odejście od równoległych interfejsów 8-bitowych na rzecz interfejsów szeregowych takich jak I2C i SPI. W połączeniu z mniejszymi wymiarami zewnętrznymi pozwoliło to na przejście na jeszcze mniejsze typy obudów.
Trzydzieści lat później pamięci typu EPROM i EEPROM nadal stosowane są w licznych urządzeniach. Mimo zmian na rynku dostawców, producenci oryginalnych komponentów tacy jak Microchip (Atmel), Onsemi (Catalyst), Renesas, Rohm i ST Micro nadal prowadzą produkcję układów pamięci. Rochester Electronics posiada w asortymencie dostępne, jak i wycofane z rynku ogólnego pamięci EPROM oraz nowo wyprodukowane popularne układy serii AM27C256, AM27C512 i AM27C010 .
Szukasz układów EPROM? Przeszukaj nasz asortyment
Konkurencja na rynku pamięci nieulotnych pojawiła się wraz z wprowadzeniem pamięci typu Flash. Pamięci tego typu zostały wynalezione przez firmę Toshiba w 1980 roku. Mogą zostać wymazywane i programowane elektronicznie i były pierwszymi układami umożliwiającymi programowanie w obwodzie. Od tej pory układy mogły być programowane w czasie montażu na płytach obwodów, integrując programowanie w proces produkcyjny. Pozwoliło to na wprowadzanie zmian do samego rozpoczęcia produkcji. Wcześniej wiele układów zamawiano ze wstępnie zapisanym tygodnie wcześniej, przez producenta lub dystrybutora układu, oprogramowaniem. Powodowało to utrudnienia w przypadku zaistnienie potrzeby wprowadzenia zmian.
Umożliwiło to usprawnienie działania linii produkcyjnych przez zwiększenie automatyzacji i wprowadzenie podwykonawstwa części produkcji, co pozwoliło na zwiększenie elastyczności produkcji i obniżenie kosztów.
Pojawiły się 2 typy pamięci Flash wykorzystujące odmienne technologie. Pierwotna technologia NOR flash pozwalała na łatwy dostęp do wszystkich lokalizacji pamięci przy zachowaniu wysokiego stopnia niezawodności, a nowsza NAND flash pozwoliła na uzyskanie wyższych gęstości zapisu i obniżenie kosztów, ale za cenę braku możliwości dostępu bezpośredniego i konieczności zarządzania komórkami pamięci.
Obie te technologie mają określone zalety i zastosowania rynkowe. Pamięć NOR flash stanowi rozwiązanie idealne do przechowywania kodu i danych krytycznych, a pamięć NAND flash doskonale sprawdza się w pamięciach masowych dużej pojemności, zastępując coraz częściej tradycyjne mechaniczne dyski twarde. Najważniejsi producenci pamięci typu Flash obecni dzisiaj na rynku to m.in. Giga-Devices, Infineon, ISSI i Macronix.
Rochester Electronics zapewnia wsparcie dla układów pamięci Flash zarówno dostępnych, jak i wycofanych z rynku ogólnego. Współpraca Rochester Electronics i Infineon zapewnia stałe wsparcie dla pamięci NOR flash serii Cypress i Spansion. Jak w przypadku wszystkich produktów oferowanych przez Rochester Electronics, oferowane układy pamięci są w 100% autoryzowane, weryfikowalne pod względem pochodzenia i objęte gwarancją.
Dowiedz się więcej o oferowanych przez Rochester Electronics pamięciach typu Flash firmy Infineon
Dowiedz się więcej o pamięciach oferowanych przez Rochester Electronics
Szukasz innych układów pamięci? Przeszukaj nasz asortyment.
