Omawiamy znane układy pamięci i ich wpływ na historię elektroniki
Kolejnym układem, jaki omówimy w naszym cyklu o najciekawszych układach scalonych lat 70-tych, będzie komercyjny układ pamięci DRAM 1103.
Spośród różnych typów półprzewodnikowych układów pamięci, wprowadzenie pamięci dynamicznej o dostępie swobodnym (DRAM) miało szczególnie znaczący wpływ na historię systemów i produktów elektronicznych. Patent na pierwszą jednokomórkową pamięć typu DRAM został przyznany doktorowi Robertowi H. Dennardowi i firmie IBM w 1968 roku. Wkrótce potem opracowano komercyjne wykorzystanie rozwiązania.
W 1969 roku firma Honeywell opracowała projekt trójtranzystorowej komórki pamięci dynamicznej przeznaczonej do przechowywania danych, poszukując jednocześnie partnerów do komercjalizacji rozwiązania i rozpoczęcia produkcji seryjnej.
Po początkowych trudnościach w uzyskaniu zadowalającej wydajności wykorzystywanego wtedy przez firmę procesu produkcyjnego p-MOS, kluczowa zmian projektowa (zagnieżdżone styki – ang. burried contacts) znacząco poprawiła wydajność procesu produkcyjnego i umożliwiła dalszą miniaturyzację układu tranzystorowego. Wydajność została zwiększona do 32 cykli odczytu co 2 milisekundy. Po szeregu iteracji projektowych osiągnięto dalsze zwiększenie wydajności procesu produkcyjnego i w 1970 roku Intel wprowadził na rynek układ DRAM 1103 (1 kb – 1024 b).
Do tej pory powszechnie stosowanym rozwiązaniem były pamięci ferrytowe, jednak były one znacznych rozmiarów, kosztowne pod względem materiałowym i nakładu pracy na montaż, przez co szybko zostały zastąpione tańszymi pamięciami DRAM. Do 1982 roku pamięci DRAM 1103 były najlepiej sprzedającymi się podzespołami półprzewodnikowymi na świecie. Licencje na 1103 były udzielane innym producentom, czyniąc 1103 jednym z pierwszych „standardowych” układów pamięci.
Intel wycofał się z rynku pamięci DRAM w 1985 roku, ustępując firmom japońskim, a następnie firmom koreańskim takim jak Hynix i Samsung. Współcześnie wszechstronne wykorzystanie pamięci DRAM oznacza, że ich dostępność i cena dyktowane są mechanizmami rynkowymi, a nie na podstawie tradycyjnych relacji kupujący-sprzedający.
Mamy nadzieję, że z ciekawością przeczytaliście Państwo kolejną część naszego cyklu.
Więcej w najbliższych miesiącach!
Rochester Electronics obecny jest na rynku pamięci półprzewodnikowych od ponad 40 lat. Nadal zapewniamy wsparcie dla szerokiego zakresu układów pamięci typu DRAM różnych producentów.
Przeszukaj nasz asortyment pamięci DRAM
Nasz asortyment układów pamięci to ponad 76 milionów sztuk układów, w tym 15 000 wariantów podzespołów obejmujących różne rodzaje pamięci ulotnych i nieulotnych różnych producentów i w różnych typach obudów standardowych.
Dowiedz się więcej o naszej ofercie układów pamięci
Źródło: Bellis, Mary. "Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip?" ThoughtCo, 27.08.2020, thoughtco.com/who-invented-the-intel-1103-dram-chip-4078677
Zdjęcie układu pamięci DRAM 1103 ©Thomas Nguyen – dzieło własne, CC BY-SA 4.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=49532861
